氫氣原位質(zhì)量法?是一種利用化學(xué)反應(yīng)去除特定干擾的分析方法，特別適用于ICP-MS（電感耦合等離子體質(zhì)譜儀）分析中的復(fù)雜樣品。這種方法通過(guò)在反應(yīng)池中引入氫氣（H2）和氧氣（O2）等反應(yīng)氣，使得分析物或干擾物在反應(yīng)池中與反應(yīng)氣發(fā)生反應(yīng)，生成一個(gè)新的質(zhì)量數(shù)的產(chǎn)物離子。通過(guò)這種質(zhì)量轉(zhuǎn)移或原位質(zhì)量的方法，可以避開(kāi)原質(zhì)量數(shù)的干擾，從而提高分析的準(zhǔn)確性和靈敏度。例如，在ICP-MS分析中，通過(guò)這種方法可以解決一些分析難題，如去除干擾元素對(duì)目標(biāo)元素的干擾，從而獲得更準(zhǔn)確的元素分析結(jié)果?。

?氫氣原位質(zhì)量法?的應(yīng)用不只限于ICP-MS分析，還在其他領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。例如，在提高氮化鋁晶體質(zhì)量的方法中，氫氣原位刻蝕技術(shù)被用來(lái)在MOCVD設(shè)備中進(jìn)行高溫原位刻蝕，通過(guò)形成密集的孔洞層并促進(jìn)位錯(cuò)的湮滅，提高外延層的晶體質(zhì)量。這種方法通過(guò)高溫原位刻蝕技術(shù)，在第1次高溫外延層和第二次高溫外延層之間形成密集的孔洞層，通過(guò)提升側(cè)向生長(zhǎng)速率使孔洞逐漸合并，降低外延層中的位錯(cuò)密度，從而提高晶體質(zhì)量?。

半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域

在半導(dǎo)體行業(yè)中，每個(gè)工藝流程中引入的雜質(zhì)污染，都有可能造成半導(dǎo)體器件缺陷。半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過(guò)程中會(huì)用到多種化學(xué)品，例如過(guò)氧化氫（H2O2）、鹽酸（HCl）、硫酸（H2SO4）等，進(jìn)行清洗和蝕刻。

過(guò)氧化氫 ：作為強(qiáng)氧化劑，可用于清洗硅片、去除光刻

硝酸和氫氟酸混合物，混合物用于蝕刻單晶硅和多晶硅硫酸與過(guò)氧化氫的混合物可用于晶圓加工過(guò)程的清洗鹽酸用于去除硅片表面的有機(jī)和金屬殘留等雜質(zhì)

隨著半導(dǎo)體器件性能的持續(xù)提高，對(duì)雜質(zhì)的控制要求也更加嚴(yán)格，所用化學(xué)品中的痕量的雜質(zhì)會(huì)影響最終產(chǎn)品的性能和產(chǎn)量。國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì) (SEMI) 發(fā)布了有關(guān)高純?cè)噭┬阅苤笜?biāo)的標(biāo)準(zhǔn), 規(guī)定絕大多數(shù)雜質(zhì)元素的含量不超過(guò) 10 ppt。

所以，制造半導(dǎo)體器件時(shí)，需要對(duì)清洗和蝕刻硅片過(guò)程中使用的化學(xué)品中的痕量污染物進(jìn)行常規(guī)監(jiān)測(cè)，必須盡可能地將痕量污染控制在minimum濃度，ICP-MS 就是普遍采用的一種監(jiān)測(cè)工具。