合作伙伴：甘肅某半導(dǎo)體企業(yè)

儀器類(lèi)型：電感耦合等離子體質(zhì)譜儀

品牌：安捷倫

型號(hào)：ICPMS 7700X

2023年10月10日，甘肅某半導(dǎo)體企業(yè)購(gòu)買(mǎi)安捷倫電感耦合等離子體質(zhì)譜儀ICPMS7700X，安裝調(diào)試完畢，感謝客戶(hù)的支持與認(rèn)可！

與傳統(tǒng)無(wú)機(jī)分析技術(shù)相比，電感耦合等離子體質(zhì)譜儀ICP-MS技術(shù)提供了最低的檢出限、最寬的動(dòng)態(tài)線(xiàn)性范圍、干擾最少、分析精密度高、分析速度快、可進(jìn)行多元素同時(shí)測(cè)定以及可提供精確的同位素信息等分析特性。

硅片是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)中半導(dǎo)體制造業(yè)的基礎(chǔ)材料, 硅片在制作使用過(guò)程中的金屬雜質(zhì)控制與檢測(cè)是關(guān)乎產(chǎn)品性能的重要手段與指標(biāo)。在制造工藝生產(chǎn)過(guò)程中硅片表面極其少量金屬污染的存在都有可能導(dǎo)致器件功能失效或可靠性變差, 有統(tǒng)計(jì)表明, 在電力電子元器件和光伏產(chǎn)品制造業(yè)中50%產(chǎn)品良率的降低都是由于污染造成的,因此在制造生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)硅片表面雜質(zhì)污染的控制極為重要，檢測(cè)規(guī)范非常嚴(yán)格。
 

隨著ICP-MS (電感耦合等離子體質(zhì)譜分析法)技術(shù)的不斷革新,以吸其杰出的超痕量級(jí)檢測(cè)性能和多元素同時(shí)快速分析能力, 現(xiàn)已成為硅片表面污染測(cè)試監(jiān)控中必不可少的手段。硅片表面污染測(cè)試既是硅片制造過(guò)程中必不可少的監(jiān)控手段,也是提升后道器件性能的重要方法與依據(jù)。電感耦合等離子體質(zhì)譜分析法通過(guò)不斷革新,已具備出的超痕量級(jí)檢測(cè)性能和多元素同時(shí)快速分析能力,已被成熟使用多年,亟需制定相關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《硅片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》GB/T 39145-2020

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法（ICP-MS）測(cè)定硅片表面金屬元素含量的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片和硅外延片表面痕量金屬鈉、鎂、鋁、鉀、鈣、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅元素含量的測(cè)定，測(cè)定范圍為108 cm²～1013cm²。本標(biāo)準(zhǔn)同時(shí)也適用于硅退火片、硅擴(kuò)散片等無(wú)圖形硅片表面痕量金屬元素含量的測(cè)定。